PECVD淀积SiO2薄膜工艺研究

摘要：

研究了等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备非晶SiO2薄膜的工艺.系统地研究了反应气体流量比、射频功率、淀积腔内压强、淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜质量的影响,采用椭偏仪测量了不同工艺条件下淀积的SiO2薄膜的厚度和折射率.根据以上测试结果分析了各工艺参数对SiO2薄膜淀积速率、折射率以及均匀性的影响规律,并定性讨论了其机理.找到了比较合适的制备高均匀性和典型折射率SiO2薄膜的工艺参数.

关键词：等离子增强化学气相淀积、氧化硅、淀积速率、折射率

所属期刊栏目：31

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：电子科技大学青年科技基金jx0838

在线出版日期：2010-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：23-26