10.3969/j.issn.1002-2279.2009.05.005
高精度低温度系数带隙基准电压源的设计
基于0.5μm双层多晶双层铝CMOS工艺,采用共源共栅电流镜结构和基极电流补偿方法,设计了一种新颖的高性能带隙电压基准.结果表明,在温度-25℃~125℃范围,基准电压温度系数为15.3×10-6V/℃,低频时,电源抑制比可达-80db.该电路可做为A/D和D/A转换器中的基准电压源.
共源共栅、基极电流补偿、带隙电压基准
30
TN4(微电子学、集成电路(IC))
2010-01-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
13-15