10.3969/j.issn.1002-2279.2009.05.003
0.8μm CMOS/SOI模型参数提取
0.8μm CMOS/SOI的模型参数提取是基于0.8μm CMOS/SOI工艺,选用HSPICE中的level 57模型.介绍了测试图形的设计经验,分析了SOI器件与体硅器件之间模型的差异,最后给出测试数据及参数测试结果的拟合情况.
绝缘体上硅(SOI)、模型参数提取、拟合
30
TN4(微电子学、集成电路(IC))
2010-01-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
7-8