IrDA中高增益CMOS共栅前置放大器

摘要：

提出了一种应用于IrDA的高增益CMOS共栅前置放大器.与传统的共源共栅结构不同,该电路采用宽摆幅共源共栅作负载以获得高增益.从理论上对电路的可行性进行了分析,采用CSMC 0.6μm CMOS工艺的仿真结果表明该电路具有110.3dBΩ的增益,105kHz的带宽,电路功耗仅为200μW.

关键词：IrDA红外通讯、互补金属氧化物半导体CMOS、共栅、前置放大器、高增益

所属期刊栏目：30

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2009-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：20-22,26