衬底偏压效应在电路中的影响
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1002-2279.2009.01.014

衬底偏压效应在电路中的影响

引用
在介绍衬底偏压效应产生原理的基础上,给出了衬底偏压效应的定义,并详细介绍了CMOS传输门的衬底偏压效应.接下来以实际电路高速CMOS 16位双向收发器为例介绍了衬底偏压效应对电路的影响,并给出了一种消除衬偏效应的设计方法.

衬底偏压效应、CMOS传输门、双向收发器

30

TN4(微电子学、集成电路(IC))

2009-05-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共2页

39-40

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

微处理机

1002-2279

21-1216/TP

30

2009,30(1)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn