CMOS电路抗闩锁研究

摘要：

闩锁效应是CMOS电路中最为严重的失效机理之一,在Vdd和Vss之间产生大电流,从而造成电路失效,严重的会造成电路自我烧毁.介绍了闩锁效应的原理及产生的条件,并从设计和工艺两方面详细介绍了防止和消除闩锁效应的方法.

关键词：CMOS电路、抗闩锁、可控硅

所属期刊栏目：30

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2009-05-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：14-15,19