由静电放电脉冲应力产生的氧化层陷阱电荷

摘要：

以传输线脉冲(TLP)为例,研究了由静电放电脉冲应力产生的氧化层陷阱电荷Qot+的特性.当氧化层厚度为3.2nm时,无论是直流还是TLP脉冲应力,其导致氧化层击穿的正氧化层陷阱电荷Qot+的质心变化和临界密度是相同的.当氧化层厚度为14nm时,在两种不同的应力下,Qot和质心的特性是不同的.TLP脉冲应力产生的负氧化层陷阱电荷的数量Qot-远小于直流应力产生的数量.热电子产生更有效的空穴陷阱以引发击穿.

关键词：静电放电、栅电介质、MOS器件、氧化层陷阱电荷、传输线脉冲

所属期刊栏目：30

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2009-05-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：8-10