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10.3969/j.issn.1002-2279.2008.03.012

12管低相噪CMOS环形振荡器

引用
提出了一种12管宽线性调谐范围低噪声低功耗的环形振荡器结构.电路设计采用0,18um的标准CMOS工艺,电源电压为1.8V.SpeetreRF仿真结果显示该环形振荡器在27.17MHz到2.062GHz的宽调谐范围内具有良好的线性度.在频率为900MHz、偏移频率为600kHz时,该环形振荡器的相位噪声为-111.1dBc/Hz,功耗为38mW.通过SpectreRF仿真与目前流行的环形振荡器进行比较,本文提出的环形振荡器结构简单、性能优越.

CMOS工艺、环形压控振荡器、调谐范围、相噪、功耗

29

TN753.9(基本电子电路)

2008-12-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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1002-2279

21-1216/TP

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2008,29(3)

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