P型200伏VDMOS的设计与工艺

摘要：

根据P型VDMOS的特点,对实际的P型VDMOS 工艺流程的特殊之处与常规MOS工艺和N型VDMOS 工艺进行了对比,提出了较为合理的工艺流程.并利用工艺模拟软件对工艺流程进行了模拟,通过将已知工艺参数与工艺模拟软件结合起来使用,将模拟结果直接导入器件模拟软件,对击穿电压及阚值电压,进行了模拟计算,指出了P型VDMOS 工艺流程的特点.

关键词：VDMOS、工艺流程、阈值电压

所属期刊栏目：29

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：11-13