10.3969/j.issn.1002-2279.2007.06.004
用瞬时电压箝位改进CMOS电路ESD防护
包含倒相器的小的瞬时电压箝位保护电路可能在一个HBM ESD事件期间产生振荡而且使箝位脱离.用0.25μm工艺生产的一个瞬时电压箝位电路可以使问题得到解决,其方法是在最后一个倒相器处增加一个电阻,这样可以提高电路的ESD防护能力.
静电放电(ESD)、CMOS电路、电压箝位
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TN4(微电子学、集成电路(IC))
2008-04-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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