10.3969/j.issn.1002-2279.2007.02.004
SOI LDMOS功率器件的研究与制备
根据REUSRF原理,对器件参数进行优化.采用与常规CMOS工艺兼容的技术,在SIMOX片上制备了薄膜SOI LDMOS功率器件.器件呈现良好的电学性能:漏极偏压5V时,泄漏电流仅为1nA;当漂移区长度为4μm时,关态击穿电压达到50V,开态击穿电压大于20V;器件的输出曲线在饱和区光滑,未呈现翘曲现象,说明体接触有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应.这种SOI LDMOS结构非常适合高温环境下功率电子方面的应用开发.
SOI材料、功率器件、LDMOS功率
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TN386(半导体技术)
上海市自然科学基金03ZR14109
2007-07-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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