10.3969/j.issn.1002-2279.2006.06.003
BiCMOS带隙基准源的设计
设计了一款具有高稳定性,低功耗的带隙基准源,采用1.5μm BiCMOS工艺制造,在-40℃~100℃它们的平均温度系数为29×10-6/℃,电源电压抑制比为60dB.在电源电压为3.7V的情况下工作功耗为144μW,低功耗高精度的特性使它非常适合在混合信号设计的IC中应用.
带隙基准源、温度系数、BiCMOS
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TN4(微电子学、集成电路(IC))
2007-03-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
7-8,11