10.3969/j.issn.1002-2279.2005.04.003
高稳定Ni-Cr薄膜电阻的研究
本文主要介绍采用磁控溅射制备 Ni-Cr薄膜的方法,并通过光刻、腐蚀,找到最佳的腐蚀条件,得到符合要求的Ni-Cr薄膜,并把它应用到具体电路中,取得满意的效果.
磁控溅射、Ni-Cr薄膜
26
TN4(微电子学、集成电路(IC))
2005-10-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
7-8
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10.3969/j.issn.1002-2279.2005.04.003
磁控溅射、Ni-Cr薄膜
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TN4(微电子学、集成电路(IC))
2005-10-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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