10.3969/j.issn.1002-2279.2005.04.001
图形化SOI LDMOS功率器件的性能分析
本文提出了一种在沟道下方埋氧层中开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET新结构.工艺和性能分析表明,它可抑制SOI结构的浮体效应和自加热效应,具有低的泄漏电流,以及高的电流驱动能力.这种结构具有提高SOI功率器件性能和稳定性的开发潜力.
图形化SOI、LDMOSFET、浮体效应、自加热效应
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TN386(半导体技术)
上海市自然科学基金03ZR14109
2005-10-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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