10.3969/j.issn.1002-2279.2005.02.005
光刻线宽精度控制的研究
本文通过对涂胶、曝光等影响线宽参数的工艺进行实验,制定了一套工艺规范,使光刻线宽控制在±10%以内,提高了光刻的工艺水平.
光刻、线宽
26
TN406(微电子学、集成电路(IC))
2005-05-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
12-13
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10.3969/j.issn.1002-2279.2005.02.005
光刻、线宽
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TN406(微电子学、集成电路(IC))
2005-05-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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