10.3969/j.issn.1002-2279.2004.03.005
离子注入工艺各个参数的调整
本文以美国EATON公司的中束流注入机为例,阐述了IC芯片生产过程中离子注入工艺如何实现高质量注入;标准注入参数的调整,以及实现高速注入所应采取的各种手段,尽量发挥离子注入机的潜能,使中束流注入机也可以注入大束流,在生产上实现高速机动,加快了工艺流程.
Beam Current束流、Uniformity 均匀性
25
TN4(微电子学、集成电路(IC))
2004-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
12-13