10.3969/j.issn.1002-2279.2004.02.002
50V/40mΩ VDMOSFET单胞尺寸的最佳设计
本文以正方形单胞为例,较系统地分析了器件的物理机制、结构及其工作原理,并通过大量计算和分析找出多晶硅窗口区尺寸LW和多晶硅尺寸LP的最佳设计比例,阐述了器件的最佳化设计思想.通过具体给定的参数确定了外延层电阻率及外延层厚度、运用迭代法算出栅氧化物厚度TOX、P区扩散浓度NP.然后由最佳LW和LP值给出相应的特征导通电阻Ron.进而给出有效面积和单胞数.
VDMOSFET、特征导通电阻Ron、单胞尺寸
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TN4(微电子学、集成电路(IC))
2004-06-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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