10.3969/j.issn.1002-2279.2003.05.003
高压VDMOSFET的PW/PT与RonA的关系
本文介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型,重点讨论了PW与PT对特征导通电阻RonA的影响,经过大量的理论计算,给出了击穿电压为500V时PW/PT与RonA的关系曲线.首次提出RonA与PW/PT有最佳比例关系.
功率VDMOSFET、导通电阻、特征电阻、单胞
TN4(微电子学、集成电路(IC))
2004-01-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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9-11,14