Bi-CMOS工艺的高精度单向模拟开关研究

摘要：

分析了一种以Bi-CMOS工艺实现的高精度单向隔离模拟开关,这种开关用在高速A/D转换器中使电路结构大为简化.通过对开关特性的理论分析、电路模拟及工艺验证,证明了这种模拟开关所具有的高速可控性和传输信号的精度均优于双极工艺所实现的单向隔离模拟开关.

关键词：高精度、模拟开关、Bi-CMOS

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：17-19,22