10.3969/j.issn.1002-2279.2002.01.006
混合电压I/O电路的ESD保护结构研究
给出了混合电压I/O电路坚固的ESD保护结构,它是由放大器结构的NMOS晶体管组合而成.这个保护电路由硅化物和硅化物隔离两种工艺研制而成.为了确保硅化物器件指状触发的一致性,增加了栅电压调节电路,研究电路的设计规则以避免产生寄生的击穿路径.
静电放电、混合电压I/O电路、组合NMOS、硅化物工艺、HBM
TN4(微电子学、集成电路(IC))
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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