10.3969/j.issn.1002-2279.1999.03.004
用于CMOS集成电路的IDDQ测试技术研究
主要介绍了CMOS电路的IDDQ测试技术.该技术的实现方法有两种:一种是片内IDDQ测试;另一种是片外IDDQ测试.前一种是在被测芯片内,设计一个电流传感器.后者是在被测芯片外的负载板上附加一个小电路,变IDDQ为电压测试,从而达到IDDQ测试的目的.
IDDQ、电流传感器、微分放大器、测试矢量、测试时间、测试精度
TN4;TP3(微电子学、集成电路(IC))
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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