接近和低于0.1μm的MOS硅集成电路技术

摘要：

本文主要述评了接近和低于0.1μm的MOS硅集成电路技术面临的挑战.重点论述了晶体管结构、阈值电压调整、电路互连及光刻技术等热点问题.

关键词：按比例缩小、短沟道效应、热载流子效应、阈值电压

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：6-9