脉冲磁场与变质处理对20Mg2Si/Al复合材料中初生Mg2Si相的影响
对比研究了未处理、脉冲磁场处理及脉冲磁场-变质剂复合处理对20Mg2 Si/Ai复合材料中初生Mg2 Si相形貌和分布的影响,同时研究了复合处理条件下,不同磁场电压和频率对初生Mg2 Si相的影响.结果 表明,磁场处理和复合处理条件下,Mg2 Si相尺寸均有所减小;试样从心部到边部,Mg2 Si相体积分数逐渐增加,呈梯度分布,但复合处理后,Mg2 Si相的梯度分布效果减弱.当磁场电压在0~300 V范围内或磁场频率在1~10 Hz范围内,随着磁场电压或频率增加,Mg2 Si相的尺寸均先增加后减小,转折点分别为200 V和5 Hz,其梯度分布效果总体上逐渐减弱.试样耐磨性和硬度的变化规律与Mg2 Si相的体积分数基本保持一致.
脉冲磁场、变质处理、复合处理、Mg2 Si相
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TG146.21;TG156.97(金属学与热处理)
国家自然科学基金资助项目;江西省教育厅科技资助项目
2020-05-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
96-100