自蔓延高温合成法(SHS)制备SiC颗粒

摘要：

通过SEM、XRD手段对(Si-C-Ti)粉末压块的高温自蔓延反应进行了研究,获得了SiC颗粒.设计压块为内外两层,外层是Ti粉和石墨粉(C),摩尔比为1:1,内层是Si粉和石墨粉,摩尔比也为1:1.结果表明,可以利用压块外层Ti-C反应生成TiC放出的热量引发内层Si-C反应生成SiC颗粒.当外层粉末与内层粉末的质量比为4:1,加热温度为1 050℃时,内层Si粉与C粉可以充分反应生成SiC颗粒.

关键词：粉末压块、高温自蔓延反应、SiC颗粒

所属期刊栏目：31

分类号：TB333(工程材料学)

资助基金：陕西省教育厅专项科研计划项目09JK486;西安工业大学校长科研基金XAGDXJJ0909

在线出版日期：2011-04-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：73-75