GaAs HFET功率器件热电子效应与寿命评估方法

摘要：

本文通过分析热电子效应导致GaAs异质结构场效应晶体管(heterostructure field-effect transistor,HFET)(以下简称GaAs HFET器件)失效的机制,明确了热电子效应对器件可靠性的影响;通过高温射频加速试验,结合最小二乘法曲线拟合器件寿命方法,分析了热电子效应对器件长期可靠性的影响.同时提出了采用栅漏反偏试验剔除早期存在热电子效应的试验方法,保证器件的可靠性和工作寿命.

关键词：GaAs异质结构场效应晶体管、热电子效应、射频加速试验、可靠性

所属期刊栏目：29

分类号：TN386.3(半导体技术)

在线出版日期：2023-01-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：107-109