微波混合电路的静电防护

摘要：

为了减少封装过程中静电对微波混合电路中敏感芯片造成的损伤,本文针对高电子迁移率场效应晶体管(high electron mobility transistors,HEMT)制备工艺中的氮化镓功率放大器和砷化镓低噪声放大器两种典型微波混合电路,从产品的防静电设计角度和平行缝焊工装的设计优化两个方面,提出了两套解决方案,从而有效提升两款器件的静电防护能力和长期可靠性.

关键词：氮化镓HEMT、砷化镓HEMT、保护电路、平行缝焊

所属期刊栏目：29

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2022-08-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：136-138