基于GaN工艺的C波段小型化高增益载片式功率放大器

摘要：

本文报道了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺的C波段小型化高增益载片式功率放大器.该功率放大器采用GaN功率单片集成电路工艺与微波混合集成电路工艺相结合的电路形式,采用两级放大电路拓扑,正负电源结构设计.模块采用铜-钼-铜(CMC)载板实现,有效实现了模块的高效率、小型化和低成本.铜-钼-铜(CMC)载板尺寸8 mm×6.6 mm×1.6 mm,测试表明,该模块在5.2～5.8 GHz频段内,28 V工作电压、连续波工作条件下,功率输出大于47 dBm、功率增益大于28 dB、功率附加效率大于55％.

关键词：GaN、C波段、高集成度、高增益、小型化

所属期刊栏目：28

分类号：TN722.75(基本电子电路)

在线出版日期：2021-03-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：193-194