Ka波段高隔离单刀四掷开关芯片

摘要：

文章基于赝高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,PHEMT)工艺,设计一款Ka波段单刀四掷反射式开关芯片.为降低芯片插入损耗和提高隔离度,电路选取并联型反射式拓扑结构.同时,为提高工作带宽和减小芯片面积,采用高低阻抗变换线替代50Ω传输线方式匹配阻抗.芯片采用0V和-5V电压控制支路开关的导通或关断.芯片尺寸为1.85 mm×1.55 mm.实测结果表明,在28～42GHz工作频带范围内,输入输出回波损耗小于-10dB,插入损耗小于3.2dB,隔离度大于38dB,实现了开关芯片低插损、高隔离度的优异性能.

关键词：赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)、Ka波段、单刀四掷、低插损、高隔离度

所属期刊栏目：40

分类号：R472.4;TN325.3;TN47

在线出版日期：2023-08-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：11-13