10.19399/j.cnki.tpt.2023.07.006
S波段准单片高效率功率放大器设计
设计了一种工作在S波段的准单片高效率功率放大器,将砷化镓(GaAs)与氮化镓(GaN)集成封装在同一管壳内.仿真与测试结果显示,该放大器的输出功率典型值为40 dBm,2.7~3.6 GHz频带范围内的功率附加效率超过65%,最高可达69%,此设计为不同工艺的异构集成提供了新思路,有助于提高放大器的效率.
异构集成、S波段、准单片、功率放大器
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TN702;TN304.23;TN929.5
2023-07-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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