基于GaAs pHEMT工艺的超宽带移相器设计

摘要：

基于GaAs pHEMT工艺,设计了一款频率为6～18 GHz的超宽带移相器芯片.该芯片为6位(相位步进5.625°)的超宽带(Ultra Wide Band,UWB)移相器,根据不同结构移相器的优缺点,确定了各移相单元的电路拓扑.其中45°、90°以及180°移相单元采用单刀双掷开关控制全通网络结构或反射式移相结构作为拓扑单元实现相移,5.625°、11.250°以及22.500°移相单元采用桥T型结构作为拓扑单元实现相移.实测结果表明,在6～18 GHz的工作频带内,移相精度均方根值(Root Mean Square,RMS)小于3°,移相寄生调幅RMS小于0.5 dB,回波损耗小于-14 dB.移相器芯片尺寸为3.00 mm×2.20 mm×0.07 mm.

关键词：宽带、全通网络、反射式移相器、桥T型结构

所属期刊栏目：40

分类号：TN823;TP309;TP212

在线出版日期：2023-06-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：47-50