X波段氮化镓高效率功率放大器MMIC

摘要：

基于0.25μm栅长的GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)工艺,采用三级放大拓扑电路结构,研制出了一款X波段宽带GaN高效率功率放大器芯片.使用LoadPull测试方法得到了GaN HEMT管芯的最佳输出效率和最佳输出功率匹配的阻抗位置.输出匹配和级间匹配结构均使用损耗较低的电抗结构,以提高功率效率.测试结果表明,该放大器在8～12 GHz频段内,小信号增益>30dB,脉冲饱和输出功率达到22 W,全频段附加效率>51％,9.5 GHz最高效率达到57％.

关键词：GaN、X波段、功率放大器、高效率

所属期刊栏目：39

分类号：TN304.23;TN722.75;TN492

在线出版日期：2022-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：13-15