10.19399/j.cnki.tpt.2018.01.003
含变阻结构的线性光耦隔离MOSFET/IGBT高速驱动
为了高速且安全的驱动MOSFET/IGBT,文章对使用线性光耦隔离的驱动速度不高的问题进行了研究.采用光耦集电极输出的方式时,发现集电极电阻值的不同,导致线性光耦集电极输出信号的上升/下降时间也不同.由此提出了一种变阻结构,在隔离驱动工作过程中改变光耦集电极电阻值.实验结果表明,使用变阻结构的线性光耦隔离驱动的集电极输出信号上升/下降沿时间变短,增大了驱动的工作频率范围.最后给出了一个应用实例.
MOSFET/IGBT驱动、线性光耦、集电极电阻、变阻结构
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2018-05-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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