宽输入范围低线性调整率带隙基准的设计

摘要：

文中提出了一款基于0.35 μm BCD工艺的宽输入范围带隙基准.与传统带隙基准不同,所提出的带隙基准使用基准输出为运算放大器提供偏置,采用耐高压的LDMOS器件,设计实现了一款宽输入范围低线性调整率的带隙基准.利用Spectre对该电路进行了仿真验证.仿真结果表明:在4～35 V输入范围内,该基准的线性调整率仅为0.74μV/V,电源电压抑制比为-110 dB,温度系数为22.3 μV/℃,静态电流为10.15 μA.

关键词：带隙基准、低线性调整率、宽电源电压范围

所属期刊栏目：34

分类号：TN4;TN7

在线出版日期：2017-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：87-89,92