μc-Si:H(n)/c-Si(p)异质结太阳能电池性能的模拟研究

摘要：

通过AFORS-HET软件分析了μc-Si:H(n)发射层,前后a-Si:H(i)本征层的厚度和带隙,对μc-Si:H(n)/a-Si:H (i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p+)太阳能电池性能的影响.模拟得出a-Si:H(i)本征层通过钝化界面来提高太阳能电池的性能,同样μc-Si:H(p+)背场提高了电池的转换效率.μc-Si:H(n)发射层的厚度为6nm,带隙为1.6 eV;前后a-Si:H(i)本征层的厚度和带隙分别为3nm和1.6 eV,电池的性能达到最佳.此优化结果可以促进提高低成本高效率的太阳能电池技术.

关键词：太阳能电池、AFORS-HET、厚度、带隙

所属期刊栏目：32

分类号：TM914.4

在线出版日期：2015-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：63-65,69