14C大面积平面源的研制
为了解铝阳极氧化膜的吸附性能对制备14 C大面积平面源的影响,研究不同厚度(4~12μm)的铝氧化膜对14 C的吸附效率,吸附槽中溶液的量对14 C的吸附效率、平面源均匀性的影响,以及14 C溶液比活度对吸附率的影响,并对研制的14 C平面源进行均匀性、牢固性检测,以及发射率定值.结果显示,研制的14C平面源(100 mm×150 mm)均匀性<10%,牢固性<0.01%;使用2πα、2πβ表面发射率标准装置测量14 C平面源,坪区达到400 V,每100 V坪斜为0.3%,小能量损失修正因子为0.2%;测量不确定度为2%(k=2).研制的14 C平面源技术参数满足相关平准源标准的要求.
14C平面源、阳极氧化法、大面积
36
TL929
2023-03-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
89-93