10.3969/j.issn.1000-7512.2000.02.002
Ba放射性同位素生成截面的测定
用60 MeV/u 18O离子轰击232Th靶产生Ba放射性同位素;通过BaCl2沉淀使Ba从大量钍靶材料和复杂反应产物混合物中分离并被纯化;用133Ba做示踪剂确定Ba的化学产额;通过离线γ谱测量Ba样品;根据每个Ba同位素的γ射线峰的强度以及相关的核数据计算它们的生成截面.结果显示在中能和厚靶的情况下,缺中子Ba同位素仍有较高的生成截面.
Ba放射性同位素、放射化学分离、生成截面
13
O674.233+;O571.41+3
中国科学院资助项目19775055;中国科学院资助项目KJ95T-03
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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