熔盐电沉积过程温度对1.6Si无取向硅钢Si扩散的影响

摘要：

试验了通过NaCl-KCl-NaF-SiO2熔盐在电流密度50 mA/cm2、电沉积脉冲电流正反向比9∶1和750 ～850℃60 min电沉积下阴极(/mm)20 ×20 ×0.5的1.6Si无取向冷轧硅钢片断面层硅的分布,并通过计算得出Si的扩散系数.结果表明,电沉积温度由750℃提高至850℃时,试样中Si含量增加,扩散的深度由18 μm提高到40μm;电沉积温度与Si在钢中的扩散系数近似符合Arrhenius指数关系.

关键词：无取向硅钢、电沉积、温度、硅、扩散系数

所属期刊栏目：35

分类号：TM2;TQ1

资助基金：国家自然科学基金资助51274082,51401075

在线出版日期：2014-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：12-14