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10.19336/j.cnki.trtb.2019.01.26

硅在Cd胁迫下对黄瓜产量和品质的影响

引用
研究石灰性土壤Si对Cd胁迫下黄瓜产量和品质的影响,对实际土壤Cd毒害植物防治具有重要意义.采用盆栽完全随机设计方案,以黄瓜(密刺60)为试验材料,研究Si在Cd胁迫下对黄瓜产量和品质的影响.研究证明,随着Cd浓度的增加,黄瓜株高和鲜重显著降低,还原糖和维生素C含量降低,硝酸盐和果实中Cd含量明显增加.施入Si后,能显著改善黄瓜的产量和品质.当Cd含量为3 mg kg-1,Si施加量为300 mg kg-1时,黄瓜株高增加了31.9%.当Cd含量为5 mg kg-1,Si施加量≥200 mg kg-1情况下,黄瓜中硝酸盐含量下降21%~37%.Cd含量≤ 3 mg kg-1,施Si量200 mg kg-1时黄瓜中的维生素C含量达到最大值.当Cd含量≤ 3 mg kg-1时,100mg kg-1的Si施加量能使黄瓜果实中的Cd含量降至国家食品安全标准.试验结果可知,在石灰性土壤上,Cd会明显抑制黄瓜的生长,施加硅后可以显著改善Cd毒害,进而提高黄瓜的产量和品质.

镉、黄瓜、产量、品质、硅

50

S642.2

山西农业大学引进人才科研启动项目XB2011017;山西坤润现代农业发展公司资助项目资助

2019-04-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

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