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电压对TC4钛合金表面微弧氧化膜层红外发射率的影响

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在硅酸盐、磷酸盐及高锰酸钾的混合电解液中研究了不同电压对TC4钛合金微弧氧化膜层性能的影响,通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)分析了膜层的微观形貌、相组成及化学成分,用傅里叶变换红外光谱仪测试了样品的红外发射率.结果表明,随着电压的升高,膜层的厚度、粗糙度及红外发射率持续增加,膜层中TiO2与Ti的特征峰逐渐减弱,非晶相成为主要的组成部分.结合XRD与XPS分析结果可推断膜层中主要元素Si、P、Mn均以非晶态存在.当电压为540 V时膜层发射率有较大幅度的增加并达到最大,在8~20 μm的波段范围内平均发射率可达0.84.

微弧氧化、TC4钛合金、红外发射率

35

TG146.23(金属学与热处理)

国家自然科学基金项目51474057,51274057

2018-04-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

32-37

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35

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