单模光纤的瑞利散射损耗研究

摘要：

通过分析单模芯层掺锗、纯SiO2芯(包层掺氟)光纤的Rayleigh散射损耗特性,得到了光纤结构参数芯径和相对折射率差与Rayleigh散射损耗的关系.分析表明,单模光纤的Rayleigh散射损耗与功率限制因子密切相关;对芯层掺锗单模光纤,其Rayleigh散射损耗主要由相对折射率差决定;而纯SiO2芯掺氟单模光纤的Ray-leigh散射损耗则主要由芯径大小决定.本文结论对于超低损耗光纤的设计和制造具有指导意义.

关键词：光纤损耗、瑞利散射、功率限制因、掺杂

所属期刊栏目：25

分类号：TN929.11

在线出版日期：2003-12-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：60-63