离子注入能量对深结扩散表面浓度的影响

摘要：

采用离子注入对半导体器件的进行掺杂,能实现精确掺杂,在半导体器件制程过程中起着举足轻重的作用.文章主要探讨相同注入剂量,不同离子注入硼与磷的能量,对于深结扩散后表面浓度的影响,从而得到较理想的工艺注入能量,以便提升注入机设备效率及产品深结扩散后的浓度稳定性,并在深结扩散器件中得到有效的利用,取得较理想的效果.

关键词：离子注入;能量;表面浓度;R口

分类号：TG174.4(金属学与热处理)

在线出版日期：2022-03-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：49-50,53