空穴、H+在SiO2体内输运的数值模拟研究

摘要：

半导体器件的电离辐射效应涉及到材料内部的一系列物理过程,包括空穴对的产生与复合、载流子的输运以及氧化物陷阱电荷和界面态电荷的形成与累积.空穴和H+的输运机制是理解电离辐射效应的关键环节,其中空穴的输运影响着氧化物陷阱正电荷的形成、退火以及H+的释放,从而影响界面态电荷的形成.本文建立Si/SiO2界面的物理模型,借助TCAD数值模拟方法,分析不同剂量率辐照条件下空穴和H+在SiO2体内的输运机制和浓度分布.

关键词：电离辐射效应、空穴输运机制、H+输运机制、TCAD数值模拟

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在线出版日期：2020-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：151-158