10.3969/j.issn.1001-8719.2014.05.016
不同链长有机膦酸阻垢剂对硫酸钡结晶过程的影响
考察了二亚乙基三胺五亚甲基膦酸(DETPMP)和二亚己基三胺五亚甲基膦酸(BHMTPMP)阻垢剂对BaSO4结晶的影响.利用Zeta电位分析了2种阻垢剂对BaSO4晶体表面电荷的影响,运用经典的均相成核理论解释了阻垢剂的抑制机理,利用扫描电子显微镜表征了硫酸钡晶体的形貌.结果表明,在实验浓度范围内,2种有机膦酸阻垢剂通过提高BaSO4晶体析出时的表面自由能和结晶活化能抑制了BaSO4结晶,BHMTPMP的抑制效果更明显;2种阻垢剂使BaSO4晶体表面Zeta电位绝对值升高,pH=8时Zeta电位绝对值达到最大;2种阻垢剂使BaSO4晶体形貌发生显著变化,晶体表面出现明显台阶状生长特征.
硫酸钡、二亚乙基三胺五亚甲基膦酸、二亚己基三胺五亚甲基膦酸、表面自由能、Zeta电位
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TQ085(一般性问题)
国家科技重大专项课题基金项目2013ZXD7210001
2014-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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