电子传输层结构对有机发光二极管性能的影响

摘要：

通过真空蒸镀制备ITO(氧化铟锡)/NPB(N,N′-二(萘-2-基)-N,N′-二(苯基)联苯-4,4′-二胺)/Alq3(8-羟基喹啉铝)/LiF/Alq3/Al(铝)的多层常规有机发光二极管(Organic Llight-Emitting Diode,OLED)器件,并采用2-(4-叔丁基苯)-5-(4联苯基)-1,3,4-噁唑(PBD)取代Alq3作电子传输层,研究了不同厚度LiF在电子传输层中影响器件光电性能的物理机理.结果表明,PBD具有高于Alq3的电子迁移率,有助改善器件的电子传输,并发现LiF在电子传输层中具有双重效应:N型掺杂效应和绝缘效应.较薄的LiF表现为N型掺杂效应,提升了电子传输性能,改善OLED性能.厚度超过1.0 nm时,LiF表现为绝缘效应,器件的驱动电压会升高.PBD厚度为15 nm、LiF厚度1.0 nm时,器件的发光亮度和效率最优.

关键词：氟化锂;N型掺杂效应;绝缘效应;电子传输

所属期刊栏目：40

分类号：TN383+.1(半导体技术)

资助基金：上海高校市级重点课程《有机光电器件》虚拟仿真实验教学项目沪教委[2020]58号

在线出版日期：2021-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：37-41