10.19927/j.cnki.syyt.2021.08.003
KGdF4:Tb3+绿色荧光粉的合成及其负热猝灭效应
通过水热合成法制备了一系列具有发光负热猝灭的KGdF4:Tb3+绿色荧光粉,并通过XRD进行了晶体结构分析,SEM观察形貌,EDS分析元素组成,荧光光谱(PLE&PL)分析常温发光性能和温度依赖性发光.基于光谱分析结果,样品的最强吸收峰在377 nm处,最强发射峰位于541 nm,KGdF4:0.3Tb3+发光具有负热猝灭现象;在测试温度范围内(35~295℃),样品的发光强度随温度的升高而增强,在195℃和215℃时的积分发光强度分别为35℃时的194.3%和214.9%.KGdF4:0.3Tb3+优异的高温性能表明其在WLEDs中具有广阔的应用前景.
光致发光;热猝灭;水热合成法;稀土掺杂
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O482.31(固体物理学)
国家自然科学基金地区基金项目21965004
2021-09-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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