二硫化钨/石墨烯垂直异质结阵列构筑实验方法

摘要：

提出了一种垂直堆垛异质结阵列构筑的实验方法,有望实现二维垂直异质结的宏量制备.该方法首先利用光刻技术形成Pt/Ti金属阵列的诱导作用,使用化学气相沉积法生长二维WS2晶体阵列,然后用热剥离转移法将WS2晶体阵列整体转移到石墨烯连续膜上,形成垂直堆垛的WS2/石墨烯异质结阵列.扫描电子显微镜测试显示WS2晶体围绕金属点生长,透射电子显微镜证实生长的WS2晶体具有良好的结晶性能.对通过转移方法形成的异质结样品使用Raman光谱测试发现WS2晶体被成功地转移在石墨烯膜上.

关键词：二硫化锡、石墨烯、范德华异质结、化学气相沉积

所属期刊栏目：40

分类号：O475;O782.9(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;南昌大学教学改革研究项目

在线出版日期：2021-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

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