10.19927/j.cnki.syyt.2021.02.018
基于SIMPLIS软件的功率MOSFET寄生参数仿真研究
针对功率MOSFET关断时寄生参数对死区时间的影响问题,基于SIMPLIS仿真软件和MOSFET的特点,建立MOSFET的仿真分析模型,并研究MOSFET寄生参数与电路中米勒平台及关断时间的关系.建立MOSFET的寄生电容分段线性模型,应用Matlab软件实现参数的对比分析,根据内部器件的工作原理确定其转移特性和输出特性,利用图像数据获取MOSFET的等效模型,采用MOSFET搭建LLC谐振变换器电路,通过不同条件下的仿真实验,得到寄生参数的影响规律.一系列的仿真训练能够有效提高学生的仿真实践能力.
MOSFET寄生参数、米勒平台、关断分析
40
TM23;TM46(电工材料)
国家自然科学基金项目;山东省自然科学基金项目;中国石油大学华东教学改革项目
2021-03-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
85-88,114