氮化镓的干法刻蚀工艺研究

摘要：

为了研究氮化镓刻蚀倾角、选择性和形貌与刻蚀参数之间的关系,对氮化镓的干法刻蚀工艺进行了优化.通过研究不同掩膜种类下的选择比、刻蚀形貌,记录了自偏压,测量了刻蚀速率.通过改变包括气体流量、不同气体比例、射频功率、温度、自偏压等干法刻蚀工艺参数,研究了倾斜侧壁氮化镓的刻蚀工艺.结果表明,采用氯基气体可以对氮化镓材料进行刻蚀,刻蚀侧壁及底部形貌光滑;采用氧化硅做掩膜可以获得垂直的侧壁形貌;增大钝化气体比例可以获得倾斜侧壁的氮化镓刻蚀形貌.

关键词：半导体材料、感应耦合等离子、干法刻蚀、氮化镓

所属期刊栏目：39

分类号：TN405.98(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61974047

在线出版日期：2020-08-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：19-21,31