一种纯CMOS低功耗高电源抑制电压基准电路

摘要：

基于阈值电压的负温度特性以及热电压的正温度特性,给以适当的权重后把它们相加,提出了一个零温度系数的基准电压电路.该器件由工作在亚阈值区的CMOS晶体管组成,不包含电阻和双极晶体管.采用3支路电流基准结构替代共源共栅结构和嵌入式运算放大器,具有芯片面积小和功耗低的优点.仿真结果表明,在标准0.18μmCMOS工艺下,该电路可在0.75 V电源电压下工作,输出电压为563 mV.在-40～125℃范围内,电压温度系数仅为17.5×10-6/℃.电源电压范围在1.2～1.8 V时线性灵敏度为569.5×10-6/V,电源抑制比可达到66.5 dB@100 Hz,最高功耗仅为187.4 nW.

关键词：低功耗、纯CMOS、亚阈值、电流基准源

所属期刊栏目：39

分类号：TN403(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金;广西高校科学技术研究项目;广西创新驱动发展专项科技重大专项

在线出版日期：2020-06-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：50-54