射频反应磁控溅射生长ZAO薄膜的光电性质

摘要：

采用RF反应磁控溅射技术在不同制备条件下制备了Al掺杂ZnO薄膜(ZAO),研究了不同条件下ZAO薄膜的光电性质.结果 表明,薄膜电阻主要由晶界电阻决定,且导电性随Ar∶ O2中O2含量增加而减小.薄膜具有强烈的紫外吸收特性,带隙大多超过3.3 eV,可见光区的透明性大于80％,并且透过率和Eg随Ar∶ O2中O2含量的增加而增加,薄膜在紫光区域具有较强的光致发光特性,掺铝使光发射峰增强并蓝移.

关键词：ZAO薄膜、磁控溅射、基底温度、光电性质

所属期刊栏目：38

分类号：O433(光学)

资助基金：2018年度本科实验实践教学改革与建设立项BK0121004

在线出版日期：2019-12-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：46-50